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最新消息

產品資訊2014-07-07

考夫曼柵極離子源成功應用於離子濺射鍍膜 (IBSD)

美國考夫曼柵極離子源成功應用於離子濺射鍍膜 (IBSD)

伯東公司為美國考夫曼公司 Kaufman & Robinson, Inc 大中國區總代理!!

美國考夫曼公司柵極離子源 Gridded Ion Sources 系列 RFCIP(射頻電源式考夫曼離子源)KDC(直流電源式考夫曼離子源)已廣泛被應用於離子濺射鍍膜(IBSD)工藝考夫曼離子源可控制離子的強度及濃度使濺射(Sputtering)時靶材(Target)被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密高品質之薄膜

伯東公司考夫曼離子源可依客戶濺射(Sputtering)工藝條件選擇 RFICP(射頻電源式考夫曼離子源)或是 KDC(直流電原式考夫曼離子源)規格如下

  1. RFCIP (射頻式考夫曼離子源)RFICP40RFICP100RFICP140RFICP200RFICP300
  2. KDC (直流式考夫曼離子源)KDC10KDC40KDC75KDC100KDC160
  3.  

     

   

伯東公司主要經營產品:

 
 
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