4W De-Layering 離子蝕刻系統

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4W De-Layering 離子蝕刻系統

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4W De-Layering 離子蝕刻系統：
4Wave's Ion Beam De-Layering 針對小於 48nm 線寬的元件的故障分析，提供一種機動的，具有價格優勢的方法。4Wave's 的系統可以依據客戶的需求，提供不同的選擇。包括二次離子質譜儀終點偵測器和磁控陰極靶做為蝕刻後的保護層鍍膜。

4W De-Layering 離子蝕刻系統

4W De-Layering 離子蝕刻系統特點：
12cm KRI 考夫曼柵極射頻離子源

<3% 不均勻性
樣品平臺可傾斜,旋轉,水冷
100 mm 壓板直徑
SIMS 終點偵測
全電腦控制
反應離子蝕刻
單一晶片台板

4W De-Layering 離子蝕刻系統配置：

	基本配置	可選
真空系統：
尺寸	72” x 50”
真空泵	磁懸浮渦輪分子泵/ Scroll Pump	10“低溫/ Scroll Pump
基準壓力	8.0 x 10-8 Torr
樣品平臺:
樣本區域	100 mm
工裝角度	0 - 180°
轉速	0–20 RPM
冷卻方式	水冷
KRI 考夫曼離子源：
孔徑大小	12 cm
柵極	2 grid,Moly
發射源	RF
中和器	PBN
光束	200 – 1000 V, 0 - 500 mA
陰極		Up to Three 2” (RF / DC)
制程氣體	Ar, Xe, N2, O2, CF4, SF6, CH4, C2H6
SIMS		集成 SIMS 端點檢測

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