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KRI 考夫曼離子源

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伯東國際通商股份有限公司為美国考夫曼公司離子源 Kuafman & Robinson,Inc
總代理. KRI 考夫曼離子源是由離子源發明人Dr.Kaufman 於1978年於美國所創立.KRI 考夫曼離子源歷經30年之改良及研發並取得多項專利, 目前已受各領域肯定. KRI 考夫曼離子源之high ion bean current及high anode voltage, 加上有效面積廣大, EH1010F , EH1020F…係列, 在於鍍膜之前處理( ISSP)及助鍍(IABD)更有助於提高成膜之沉澱速率, 附著度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率...KRI 考夫曼離子源整體設計有著低耗材成本, 安裝簡易, 維護簡單, 無論是在量產單位或是研發單位更是備受肯定及廣泛使用.

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KRI 考夫曼離子源簡介

KRI 考夫曼霍爾離子源 eH

KRI 考夫曼柵極離子源 RFICP

Electron Source

Power Supply and Control

KRI 離子源應用報告