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LIBE (Laboratory Ion Beam Etch) 離子蝕刻系統利用一個考夫曼離子源提供中和、平行、高能的離子通量與接地襯底用於傳統離子蝕刻應用.
4W-LIBE 離子蝕刻系統 標準配置:
真空系統 |
尺寸: 20”∅x 24”long |
抽速: 8”cryo / RV rough |
底壓: 1 x 10-7 Torr |
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樣品平臺 |
樣本區域: 150 mm |
工裝角度: 0 - 90° |
轉速: 0–20 RPM |
偏壓: NA |
冷卻方式: 水冷 |
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考夫曼 |
孔徑大小: 12 cm |
柵極: 2 grid, Mo or C |
發射源 DC, filament |
中和器 燈絲 |
陽極:
200–1000V |
制程氣體: Ar, Xe |
等離子源 |
放電/中和 |
陽極束 |
制程氣體 |
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NA |
NA |
NA |