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4W-LIBE 離子蝕刻系統

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LIBE (Laboratory Ion Beam Etch) 離子蝕刻系統利用一個考夫曼離子源提供中和、平行、高能的離子通量與接地襯底用於傳統離子蝕刻應用.

4W-LIBE 离子蚀刻系统

 

4W-LIBE 離子蝕刻系統 標準配置:

真空系統

尺寸:

20”∅x 24”long

抽速:

8”cryo / RV rough

底壓:

1 x 10-7 Torr

樣品平臺

樣本區域:

150 mm

工裝角度:

0 - 90°

轉速:

0–20 RPM

偏壓:

NA

冷卻方式:

水冷

考夫曼
離子源

孔徑大小:

12 cm

柵極:

2 grid, Mo or C

發射源

DC, filament

中和器

燈絲

陽極:

200–1000V
0 - 200 mA

制程氣體:

Ar, Xe

等離子源

放電/中和

陽極束

制程氣體

NA

NA

NA

 

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