+886-2-8772-8910
LISE (Laboratory Ion Soft Etch) 離子軟蝕刻系統利用一個低能等離子體源提供中和,低能,發散的離子通量與偏壓,用於軟蝕刻,等離子清洗,等離子體氧化/硝化,以及傳統的反應離子蝕刻應用.此外LISE離子軟蝕刻系統可以用來沉積類鑽膜(DLC)。
4W-LISE 離子蝕刻系統 標準配置:
真空系統 |
尺寸 20”∅x 24”long |
抽速 8” cryo / RV rough |
底壓 1 x 10-7 Torr |
|||
樣品平臺 |
樣本區域 150 mm |
工裝角度 0 - 90° |
轉速 0–20 RPM |
偏壓
0-1000 V / 1A |
冷卻方式 水冷 |
|
考夫曼 |
孔徑大小 NA |
柵極 NA |
發射源 NA |
中和器 NA |
陽極 NA |
制程氣體 NA |
等離子源 |
放電/中和 空心陰極 |
陽極束 0-100 V 0–10 A |
制程氣體 Ar, Xe, N2, O2, CF4, SF6, CH4, C2H6 |