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4Wave 的批次式蝕刻系統可以依據客戶需求,提供具有設計彈性,價格優勢,佔地空間小等優點的離子蝕刻機或是離子製程設備,做為研發及量產之用。 4Wave的批次式蝕刻系統可以針鍍客戶需求,提供不同的樣品台及配備。
4W-批次式蝕刻系統功能
8-22 cm 考夫曼柵極式離子源 |
二次離子質譜儀終點偵測 |
不均勻性 < 3% |
全電腦控制 |
水冷、傾斜、旋轉 |
反應式離子蝕刻 |
製程範圍可達 150 mm |
單晶圓平面旋轉/三晶圓行星式旋轉 |
4W-批次式蝕刻系統配置
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基本架構 |
選配 |
選配 |
真空系統 |
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尺寸 |
72” x 50” |
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抽氣系統 |
10” cryo/ scroll pump |
全磁浮渦輪幫浦/scroll pump |
8” cryo/scroll pump |
背壓 |
1 x 10-7 torr |
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樣品台 |
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樣品尺寸 |
150mm |
行星式 3 x 150mm |
< 100mm |
樣品台角度 |
0-180o |
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旋轉速度 |
0-20 rpm |
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冷卻方式 |
水冷 |
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KRI 考夫曼離子源 |
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開口尺寸 |
22cm |
12cm |
8cm |
柵極 |
2層柵極,鉬 |
2層柵極,鉬 |
2層柵極,鉬 |
發射源 |
RF |
RF |
直流電 |
中和器 |
電漿橋中和器 |
電漿橋中和器 |
燈絲 |
離子束 |
200-1000V/0-1A |
200-1200V/0-0.5A |
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製程氣體 |
Ar, Xe, N2, O2, CF4, SF6, CH4, C2H6 |
Ar, Xe, N2, O2, CF4, SF6, CH4, C2H6 |
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二次離子質譜儀 |
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Hiden Analytical |
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